
The N-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS 30 V and RDS(on) 2.9 Ohm, using the...
此器件为 N 沟道、30V耐压、2.0mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/无...
此器件为 N 沟道、30V耐压、1.6mΩ内阻、TO-263-2L封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/电动工...
此器件为40V、2.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,电池管理系统等应用领域
此器件为40V、3mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,逆变器系统、锂电池保护等应用领域
此器件为40V、2.3mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合锂电保护板等应用领域。
此器件为 68V、6.8mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。