Language
BMS
Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HY3003D
30
100
3.4
4.5
68
20
1.0~2.5
2570
54
Single - N
TO-252-2L
BMS / AC-DC synchronous rectification
MP
Product Features：
The N-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS 30 V and RDS(on) 2.9 Ohm, using the...
HY3503C2
30
150
2.5
3.4
156
20
1~3
4900
100
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC / 电源 / 无人机电调
MP
Product Features：
此器件为 N 沟道、30V耐压、2.0mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护/无...
HY4903B
30
290
2
3
214
20
1~3
11506
247
Single - N
TO-263-2L
电池保护板 / 电源
MP
Product Features：
此器件为 N 沟道、30V耐压、1.6mΩ内阻、TO-263-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足电机驱动/电池保护/电动工...
HYG025N04NA1D
40
125
3
N/A
93
20
2~4
5625
122.6
Single - N
TO-252-2L
电池保护板
MP
Product Features：
此器件为40V、2.5mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，电池管理系统等应用领域
HY3704B
40
176
3.6
N/A
192
20
2~4
4427
122
Single - N
TO-263-2L
电池保护板 / 逆变器
MP
Product Features：
此器件为40V、3mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，逆变器系统、锂电池保护等应用领域
HY4504B
40
250
3
N/A
288
20
2~4
6985
195
Single - N
TO-263-2L
电池保护板
MP
Product Features：
此器件为40V、2.3mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合锂电保护板等应用领域。
HY1607B
68
80
7.8
N/A
115
25
2~4
3203
84
Single - N
TO-263-2L
电池保护板 / 电机驱动
MP
Product Features：
此器件为 68V、6.8mΩ、TO-263-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。
