
此器件为 80V、4.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为N 沟道、100V耐压、内阻11.2mΩ、SOP8L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、7.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
The N-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS 150 V and RDS(on) 32 Ohm, using t...
此器件为 N 沟道、30V耐压、1.5mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/无...
此器件为N 沟道、30V耐压、1.3mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/...
此器件为 30V、1.2mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC转换等应用领域
此器件为40V、2.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC、电动工具等应用领域
此器件为N 沟道、40V耐压、1.7mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/...
此器件为 40V、1.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,电池管理系统等应用领域
The P-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS -100 V and RDS(on) 20 Ohm, using ...
The P-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS -100 V and RDS(on) 42 Ohm, using ...
The P-channel MOSFET in TO-263-2L package features VDS -60 V and RDS(on) 3.9 Ohm, using th...
The P-channel MOSFET in TO-263-2L package features VDS -60 V and RDS(on) 7.4 Ohm, using th...
The P-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS -40 V and RDS(on) 5.8 Ohm, using th...
The P-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS -30 V and RDS(on) 4.4 Ohm, using th...
此器件为 N 沟道、30V耐压、1.5mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/无...
此器件为N 沟道、30V耐压、1.3mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/...
此器件为 40V、1.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,电池管理系统等应用领域
此器件为40V、2.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合逆变器/UPS等应用领域。
此器件为40V、2.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合锂电保护板等应用领域。
The N-channel MOSFET in PDFN8L(5x6) package features VDS 65 V and RDS(on) 2.4 Ohm, using t...
此器件为80V、2.9mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为80V、2.9mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。