Products & Scheme

We can provide complete scheme includes assembly design, assembly, electrical test and reliability test.

Electric Tool

Electric Tool

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG055N08NS1C2
80
85
6
N/A
83.3
20
2~4
3660
60
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / 电机驱动
MP
HYG055N08NS1C2
产品特性:

此器件为 80V、4.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG130N10LS1S
100
11.5
13.4
16
3
20
1~3
14
0.3
Single - N
SOP8L
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG130N10LS1S
产品特性:

此器件为N 沟道、100V耐压、内阻11.2mΩ、SOP8L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG092N10LS1C2
100
60
9.6
14
62.5
20
1~3
2348
47
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG092N10LS1C2
产品特性:

此器件为 100V、7.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG072N10LS1C2
100
80
7.5
11
75
20
1~3
2980
56
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG072N10LS1C2
产品特性:

此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG110N11LS1C2
115
60
13
19.0
71.4
20
1~3
2606
45.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG110N11LS1C2
产品特性:

此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG400N15NS1P
150
40
41
N/A
115
20
2~4
2140
30
Single - N
TO-220FB-3L
DC-DC / AC-DC synchronous rectification
MP
HYG400N15NS1P
产品特性:

The N-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS 150 V and RDS(on) 32 Ohm, using t...

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG023N03LR1C2
30
125
2
2.8
62.5
20
1~3
4710
93
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC
MP
HYG023N03LR1C2
产品特性:

此器件为 N 沟道、30V耐压、1.5mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/无...

HYG013N03LS1C2
30
150
1.6
2.8
65
20
1~3
3011
44.7
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC / 无人机电调
MP
HYG013N03LS1C2
产品特性:

此器件为N 沟道、30V耐压、1.3mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/...

HYG014N03LS1C2
30
200
1.5
2.7
113
20/-12
1~3
5661
69.9
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC
AON6522
MP
HYG014N03LS1C2
产品特性:

此器件为 30V、1.2mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC转换等应用领域

HYG035N04LR1C2
40
-100
2.9
3.9
57
20
1~3
5905
107.1
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / 电机驱动
MP
HYG035N04LR1C2
产品特性:

此器件为40V、2.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板、DC-DC、电动工具等应用领域

HYG017N04LS1C2
40
135
2.1
2.8
75
20
1~3
4332
66.1
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源 / 无人机电调
AON66402
MP
HYG017N04LS1C2
产品特性:

此器件为N 沟道、40V耐压、1.7mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/...

HYG025N04NA1C2
40
190
1.8
N/A
130
20
2~4
5744
122.2
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板
MP
HYG025N04NA1C2
产品特性:

此器件为 40V、1.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,电池管理系统等应用领域

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG200P10LR1P
-100
-80
28
32
214
20
-1~-3
11520
181
Single - P
TO-220FB-3L
Load Switch
MP
HYG200P10LR1P
产品特性:

The P-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS -100 V and RDS(on) 20 Ohm, using ...

HYG400P10LR1P
-100
-40
58
65
100
20
-1~-3
5402
79
Single - P
TO-220FB-3L
Load Switch
MP
HYG400P10LR1P
产品特性:

The P-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS -100 V and RDS(on) 42 Ohm, using ...

HYG045P06LA1B
-60
-160
5
6
250
20
-1~-3
16993
319
Single - P
TO-263-2L
BMS
BBS3002,AM110P06-06B
MP
HYG045P06LA1B
产品特性:

The P-channel MOSFET in TO-263-2L package features VDS -60 V and RDS(on) 3.9 Ohm, using th...

HYG086P06LA1B
-60
-85
9
11
208
20
-1~-3
9202
169
Single - P
TO-263-2L
BMS
VSM007P06MS、SUM110P06-07L、IPB110P06L
MP
HYG086P06LA1B
产品特性:

The P-channel MOSFET in TO-263-2L package features VDS -60 V and RDS(on) 7.4 Ohm, using th...

HYG060P04LQ1D
-40
-70
7.5
10.5
65
20
-1~-3
6774
128
Single - P
TO-252-2L
DC-DC / Load Switch
MP
HYG060P04LQ1D
产品特性:

The P-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS -40 V and RDS(on) 5.8 Ohm, using th...

HYG045P03LQ1D
-30
-90
5.5
9.5
60
20
-1~-3
6750
135.5
Single - P
TO-252-2L
BMS / DC-DC
MP
HYG045P03LQ1D
产品特性:

The P-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS -30 V and RDS(on) 4.4 Ohm, using th...

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG023N03LR1C2
30
125
2
2.8
62.5
20
1~3
4710
93
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC
MP
HYG023N03LR1C2
产品特性:

此器件为 N 沟道、30V耐压、1.5mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/无...

HYG013N03LS1C2
30
150
1.6
2.8
65
20
1~3
3011
44.7
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / DC-DC / 无人机电调
MP
HYG013N03LS1C2
产品特性:

此器件为N 沟道、30V耐压、1.3mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换/...

HYG025N04NA1C2
40
190
1.8
N/A
130
20
2~4
5744
122.2
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板
MP
HYG025N04NA1C2
产品特性:

此器件为 40V、1.4mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,电池管理系统等应用领域

HY4004P
40
208
3.2
N/A
217
20
2~4
5712
158
Single - N
TO-220FB-3L
逆变器
MP
HY4004P
产品特性:

此器件为40V、2.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合逆变器/UPS等应用领域。

HY4004B
40
208
3.2
N/A
217
20
2~4
5712
158
Single - N
TO-263-2L
电池保护板
MP
HY4004B
产品特性:

此器件为40V、2.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合锂电保护板等应用领域。

HY030N06C2
65
100
2.8
4.5
48
20/-12
1~3
5270
96
Single - N
PDFN8L(5x6)
BMS / Motor drives
MP
HY030N06C2
产品特性:

The N-channel MOSFET in PDFN8L(5x6) package features VDS 65 V and RDS(on) 2.4 Ohm, using t...

HY4008P
80
200
3.5
N/A
345
25
2~4
8157
197
Single - N
TO-220FB-3L
电池保护板 / 电机驱动 / 逆变器
MP
HY4008P
产品特性:

此器件为80V、2.9mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。

HY4008B
80
200
3.5
N/A
345
25
2~4
8157
197
Single - N
TO-263-2L
电池保护板 / 电机驱动
MP
HY4008B
产品特性:

此器件为80V、2.9mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。