Products & Scheme

We can provide complete scheme includes assembly design, assembly, electrical test and reliability test.

PD Power

PD Power

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG090N06LS1C2
60
60
9.2
14.1
62.5
20
1~3
926
18.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC synchronous rectification / Power Supply
MP
HYG090N06LS1C2
产品特性:

The N-channel MOSFET in PDFN5*6 package features VDS 60 V and RDS(on) 7.7 Ohm, using the S...

HYG052N06LS1D
60
67
6.6
9.1
60
20
1~3
1638
28.7
Single - N
TO-252-2L
DC-DC / AC-DC synchronous rectification / Power Supply
MP
HYG052N06LS1D
产品特性:

The N-channel MOSFET in DPAK package features VDS 60 V and RDS(on) 5.5 Ohm, using the SGT ...

HYG130N10LS1S
100
11.5
13.4
16
3
20
1~3
14
0.3
Single - N
SOP8L
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG130N10LS1S
产品特性:

此器件为N 沟道、100V耐压、内阻11.2mΩ、SOP8L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG092N10LS1C2
100
60
9.6
14
62.5
20
1~3
2348
47
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG092N10LS1C2
产品特性:

此器件为 100V、7.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG072N10LS1C2
100
80
7.5
11
75
20
1~3
2980
56
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG072N10LS1C2
产品特性:

此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

HYG110N11LS1C2
115
60
13
19.0
71.4
20
1~3
2606
45.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
DC-DC / AC-DC同步整流 / 电源
MP
HYG110N11LS1C2
产品特性:

此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。

Part
Vds Min (V)
ID@TC=25℃
RDS(on) Max 10V(mΩ)
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
PD@TC=25℃ (W)
Vgs(±V)
Vth (V)
Ciss Typ(pF)
Qg Typ(nC)
Configuration
Package
Application
同类型号
Status
HYG090P03LA1C1
-30
-40
9.5
14
25
20
-1~-3
2992
60
Single - P
DFN8L(0303)
BMS / DC-DC / Load Switch
MP
HYG090P03LA1C1
产品特性:

The P-channel MOSFET in DFN8L(0303) package features VDS -30 V and RDS(on) 7.9 Ohm, using ...

HY12P03S
-30
-12
13
16
3.1
20
-1~-3
2350
34
Single - P
SOP8L
BMS / DC-DC / Load Switch
AO4435/AO4407
MP
HY12P03S
产品特性:

The P-channel MOSFET in SOP8L package features VDS -30 V and RDS(on) 10.8 Ohm, using the T...

HYG260P03LR1S
-30
-8
30
55
3
20
-1~-3
1210
18.5
Single - P
SOP8L
BMS / DC-DC / Load Switch
MP
HYG260P03LR1S
产品特性:

The P-channel MOSFET in SOP8L package features VDS -30 V and RDS(on) 21.6 Ohm, using the T...

HYG035N02KA1C2
20
95
N/A
3.5
57.5
12
0.3~1.0
4082
47.5
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板 / 负载开关
MP
HYG035N02KA1C2
产品特性:

此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护等应...

HYG032N02KQ1C2
25
100
N/A
3.2
62.5
12
0.4~1.2
4154
57.3
Single - N
PDFN8L(5x6)
电池保护板
HYG035N02KA1C2
MP
HYG032N02KQ1C2
产品特性:

此器件为25V、2.5mΩ、PDFN5*6封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域

HYG080ND03LA1S
30
11
12
15
2.5
20
1~3
680
14.6
Dual - N
SOP8L
BMS / DC-DC / Signal drive
MP
HYG080ND03LA1S
产品特性:

The Dual N-channel MOSFET in SOP8L package features VDS 30 V and RDS(on) 9.5 Ohm, using th...

HY1503C1
30
34
8.5
12.5
17.8
20
1~3
680
14.6
Single - N
DFN8L(0303)
电源
MP
HY1503C1
产品特性:

此器件为 N 沟道、30V耐压、7.1mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/负...