
The N-channel MOSFET in PDFN5*6 package features VDS 60 V and RDS(on) 7.7 Ohm, using the S...
The N-channel MOSFET in DPAK package features VDS 60 V and RDS(on) 5.5 Ohm, using the SGT ...
此器件为N 沟道、100V耐压、内阻11.2mΩ、SOP8L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、7.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
The P-channel MOSFET in DFN8L(0303) package features VDS -30 V and RDS(on) 7.9 Ohm, using ...
The P-channel MOSFET in SOP8L package features VDS -30 V and RDS(on) 10.8 Ohm, using the T...
The P-channel MOSFET in SOP8L package features VDS -30 V and RDS(on) 21.6 Ohm, using the T...
此器件为 N 沟道、20V耐压、2.6mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护等应...
The Dual N-channel MOSFET in SOP8L package features VDS 30 V and RDS(on) 9.5 Ohm, using th...
此器件为 N 沟道、30V耐压、7.1mΩ内阻、DFN8L(0303)封装产品,芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强,适合较低开关频率应用,可满足电机驱动/电池保护/负...