The N-channel MOSFET in DPAK package features VDS 60 V and RDS(on) 5.5 Ohm, using the SGT ...
The N-channel MOSFET in SOP8L package features VDS 100 V and RDS(on) 7.2 Ohm, using the SG...
The N-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS 70 V and RDS(on) 6 Ohm, using the S...
The N-channel MOSFET in PDFN5*6 package features VDS 60 V and RDS(on) 7.7 Ohm, using the S...
The N-channel MOSFET in SOP8L package features VDS 60 V and RDS(on) 8.6 Ohm, using the SGT...
The N-channel MOSFET in PDFN8L(5x6) package features VDS 65 V and RDS(on) 1.6 Ohm, using t...
The N-channel MOSFET in SOP-8L package features VDS 60 V and RDS(on) 16 Ohm, using the Tre...
The N-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS 85 V and RDS(on) 4.8 Ohm, using t...
The N-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS 60 V and RDS(on) 2.6 Ohm, using the...
The N-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS 150 V and RDS(on) 32 Ohm, using t...
The N-channel MOSFET in PDFN8L(5x6) package features VDS 60 V and RDS(on) 2.2 Ohm, using t...
The N-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS 60 V and RDS(on) 2.5 Ohm, using t...
The N-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS 30 V and RDS(on) 1.7 Ohm, using the...
The N-channel MOSFET in TO-252-2L package features VDS 40 V and RDS(on) 2 Ohm, using the S...
The N-channel MOSFET in TO-220FB-3L package features VDS 150 V and RDS(on) 6 Ohm, using th...
此器件为 150V、6mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如电机控制、电池保护板、逆变器等应用领域。
此器件为 80V、4.1mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 80V、2.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为 80V、4.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 70V、5.3mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为65V、2.9mΩ、PDFN5*6封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如电机驱动、锂电池保护板等应用领域
此器件为 100V、2.6mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机、锂电池保护板等应用领域。
此器件为 100V、2.6mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。
此器件为65V、3.5mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如电机驱动、锂电池保护板等应用领域
此器件为70V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为70V、5.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为80V、5.3mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为80V、3.0mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为80V、3.0mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为80V、4.0mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为80V、4.0mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为80V、5.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域
此器件为80V、5.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为80V、5.3mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为80V、5.7mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合低频应用,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为100V、3.2mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为 100V、7.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、4.4mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。
此器件为 100V、3.8mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。
此器件为 100V、16.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机等应用领域。
此器件为 100V、16mΩ、TO-252-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、3.8mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如直流电动机控制。锂电池保护板等应用领域。
此器件为 100V、6.7mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如AC-DC/DC-DC等应用领域。
此器件为N 沟道、100V耐压、内阻7.4mΩ、TO-220MF-3L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域...
此器件为100V、3.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为 115V、9.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 100V、6.0mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合高频应用,可满足如同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
此器件为 115V、11mΩ、SOP8L封装产品,采用SGT流片工艺,可满足如同步整流,AC-DC/DC-DC转换等应用领域。
此器件为100V、3.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件可满足如保护板,电机驱动等应用领域。
此器件为N 沟道、100V耐压、内阻11.2mΩ、SOP8L封装产品,芯片采用SGT工艺设计,该器件适合高频应用,可满足如AC-DC同步整流,高频DC-DC转换等应用领域。
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